SiC晶片是4H單晶碳化矽（Silicon Carbide）製成的晶片，它具有許多優異的特性：高效率的電力轉換、高壓和高功率電源應用，使其在電動汽車、5G及衛星通訊和工業應用等高溫和高壓使用環境中有極大的優勢。
SiC 晶圓減薄透過磨削(Grinding)、研磨(Lapping)和化學機械拋光(CMP)等加工，使其薄化到特定應用的厚度(<200um∕350um∕500um)，來提高散熱效率、減輕晶片模組重量和改善晶片性能，從而滿足各種應用需求。
北聯研磨提供標準化的減薄砂輪系列，從#2000的粗磨到#30000的超精磨，搭配各種減薄機，達到高GR值的長壽命砂輪。另外針對高硬度的P級SiC晶圓，也設計出高切削性的砂輪來達到快速減薄的效果。